圖1.9是最早將邏輯IC以裸晶方式封裝所形成的漢子辨別卡，這個(gè)產(chǎn)品自1992年開(kāi)始出貨，這張卡除了直接封裝裸晶之外，也有一些表面黏結(jié)元件和一般插入元件。

為了讓裸晶封裝制程可以廣泛地應(yīng)用，可以將裸晶封裝部分設(shè)計(jì)成準(zhǔn)模組的形式，使得裸晶封裝變成一般標(biāo)準(zhǔn)化的制程。使用裸晶封裝的增層電路板可以回溯到這張卡。圖1.10是電路板的橫截面，基本上和圖1.7的橫截面相同。增層電路板的絕緣層厚度由FV1以下線路的銅表面到上面線路的銅下面為40um，F(xiàn)V2為80um。由于FV2的厚度是FV1的兩倍，因此栓孔的孔徑較大。照片是FR4的基層部份，由于照片中可以看出玻璃纖維布纖維編織的情形。圖1.11是封裝兩個(gè)裸晶部份的放大照片。晶片尺寸為12.7mm見(jiàn)方，覆晶式接點(diǎn)數(shù)目為351.晶片周圍，由晶片接點(diǎn)引出到基板一般導(dǎo)線的部份主要是作為QM的測(cè)試接點(diǎn)。

圖1.12是QM基板部份的掃描式電子顯微鏡照片，較亮的部份是銅。覆晶片封裝的接點(diǎn)呈三列配置，外側(cè)兩列的接點(diǎn)與表面線路相連，最內(nèi)層接點(diǎn)則經(jīng)由栓孔與下層線路相連。中央部份較大的銅區(qū)域?yàn)殡娫磳雍徒拥貙?，這個(gè)區(qū)域分割成幾個(gè)不同區(qū)域分別與電源和接地的接點(diǎn)連接。電源層和接地層也都和QM部份連接。

圖1.13是覆晶式封裝的接點(diǎn)照片。比較特別的是與晶片連接的外接點(diǎn)形狀是由防錫漆開(kāi)口部份所定義。由于覆晶片接合部份的可靠性會(huì)受焊錫量多寡的影響，利用這個(gè)結(jié)構(gòu)即使防焊漆稍微偏離位置，接點(diǎn)面積幾乎不會(huì)改變，因此可以控制接點(diǎn)上的焊錫量。一般的矩形覆晶片封裝接點(diǎn)在接合部份的角落位置容易產(chǎn)生應(yīng)力集中，因此最好改用圓形。但是如果利用樹(shù)脂固定的覆晶式封裝時(shí)，為了減少接合部份的偏移所以最好使用可以控制接合部份焊錫量的矩形接點(diǎn)。圖1.13中的晶片是以覆晶式封裝在36mm見(jiàn)方的PGA基板上。36mm見(jiàn)方大小的PGA基板尺寸是晶片的3倍大。因此如果直接以裸晶封裝的話封裝尺寸可以大幅縮小。